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目录1

前言1

第一章 有机半导体电输运的一些基本概念1

§1.1 π电子，σ电子，定域与非定域轨道及状态的基本概念1

§1.2 能带模型7

1.2.1 载流子漂移迁移率12

主要符号表13

1.2.2 霍耳效应18

§1.3 隧道模型22

§1.4 跳跃模型23

§1.5 分子晶体中的极化子31

§1.6 暗电导37

1.6.1 激活能38

1.6.2 补偿效应40

1.6.3 构象子42

1.6.4 各向异性44

1.6.5 频率关系44

§1.7 温差电效应48

1.8.1 载流子从电极注入57

1.8.2 本征激发57

§1.8 载流子产生57

1.8.3 非本征激发59

1.8.4 场助产生59

§1.9 陷阱的形成60

1.9.1 不包括杂质时的结构缺陷60

1.9.2 化学杂质产生的缺陷67

1.10.1 寿命状态的概念68

§1.10 寿命和弛豫电导68

1.10.2 弛豫状态的概念70

第二章 载流子的接触注入74

§2.1 电接触，势垒和电导的一些基本概念74

2.1.1 电接触，功函数和接触电势75

2.1.2 电接触类型84

2.1.3 表面态99

§2.2 载流子从接触处穿过势垒的注入104

2.2.1 势垒降低和肖脱基效应105

2.2.2 电场增强热电子发射109

2.2.3 场致发射117

2.2.4 热电子场致发射125

§2.3 穿过薄绝缘膜的隧道效应127

2.3.1 一般化势垒128

2.3.2 矩形势垒133

2.3.3 弹性与非弹性隧穿144

2.3.4 金属-绝缘膜-半导体（MIS）体系150

2.3.5 空间电荷和陷阱以及杂质电导的影响159

第三章 空间电荷电导——一种载流子注入169

§3.1 关于空间电荷电导的一些基本概念169

§3.2 固体中一种载流子的（单）平面注入175

3.2.1 理论175

3.2.2 标度规则195

3.2.3 理论与实验的一些对比197

§3.3 从非平面接触电极产生的一种载流子（单）注入222

3.3.1 在不考虑热生成自由载流子时的球形注入接触222

3.3.2 在不考虑热生成自由载流子时的圆柱注入接触226

3.3.3 有热生成自由载流子时的球形注入接触228

§3.4 电解质-绝缘体系统234

3.4.1 交换电流236

3.4.2 电解质-绝缘体界面间的平衡性质238

3.4.3 在绝缘体内部存在着在能量上和空间上不同分布的陷阱时，电解质-绝缘体系统的电流-电压特性250

第四章 空间电荷电导——两种载流子注入262

§4.1 有关俘获和复合过程的术语的定义和物理概念262

4.1.1 俘获速率和俘获截面264

4.1.2 复合速率和复合截面265

4.1.3 划分能级267

4.1.4 库仑陷阱271

4.1.5 自由电子-自由空穴的复合275

4.1.6 特征时间277

§4.2 复合过程动力学280

4.2.1 没有复合中心和没有陷阱的情况（带-带复合）281

4.2.2 有单组复合中心，但没有陷阱的情况284

4.2.3 有单组复合中心和有陷阱的情况288

4.2.4 具有双能级的复合中心、但没有陷阱的情况289

4.2.5 具有多能级的复合中心、但没有陷阱的情况291

4.2.6 俄歇效应293

§4.3 固体中两种载流子（双）平面注入297

4.3.1 没有复合中心和没有陷阱的情况299

4.3.2 没有复合中心、但有陷阱的情况306

4.3.3 有复合中心、但没有陷阱的情况313

4.3.4 有复合中心和有陷阱的情况330

4.3.5 标度规则332

5.1.1 丝状一种载流子（单）注入333

第五章 特殊条件下的电输运333

§5.1 固体中丝状载流子注入333

5.1.2 丝状两种载流子（双）注入339

§5.2 载流子扩散的影响346

5.2.1 一种载流子（单）注入346

5.2.2 两种载流子（双）注入349

§5.3 高电场效应，普尔-夫伦克耳以及翁萨格模型350

5.3.1 从体限制至电极限制电导过程的过渡351

5.3.2 从电极限制至体限制电导过程的过渡357

5.3.3 从单注入至双注入过程的过渡358

5.3.4 载流子迁移率的场强关系360

5.3.5 普尔-夫伦克耳去俘获模型363

5.3.6 翁萨格模型374

§5.4 热激去俘获和非外赋电导379

5.4.1 热激电流380

5.4.2 热激去极化电流387

5.4.3 等温衰减电流390

5.4.4 非外赋电导391

§5.5 电流瞬变现象395

5.5.1 一种载流子（单）平面注入瞬变电流395

5.5.2 两种载流子（双）平面注入瞬变电流421

§5.6 时变场下的空间电荷电导429

5.6.1 一种载流子（单）平面注入429

5.6.2 两种载流子（双）平面注入433

§5.7 弛豫半导体内的载流子输运439

5.7.1 弛豫半导体内的少子注入439

5.7.2 理论与实验的一些对比449

第六章 光电子过程453

§6.1 基本概念453

6.1.1 分子的电子状态453

6.1.2 激子离解459

6.1.3 光电导的量子产额和量子效率466

6.1.4 非平衡稳态统计学469

§6.2 光电导475

6.2.1 非本征光电导478

6.2.2 本征光电导500

§6.3 光电发射512

6.3.1 电接触的光电注入512

6.3.2 结晶固体的光电发射521

§6.4 光生伏打效应532

6.4.1 体光生伏打效应533

6.4.2 表面光生伏打效应535

6.4.3 p-n结的光生伏打性质543

6.4.4 反常光生伏打效应544

§7.1 绪言547

第七章 发光547

7.1.1 夫兰克-康登原理550

7.1.2 辐射和非辐射的跃迁过程551

§7.2 激子的形成与特性555

7.2.1 激子的动力学性质560

7.2.2 激子输运过程572

7.2.3 激子扩散577

§7.3 光致发光588

7.3.1 荧光588

7.3.2 磷光621

§7.4 电致发光627

7.4.1 在不随时间变化电场作用下的电致发光627

7.4.2 在时变场中的电致发光644

7.4.3 在磁场作用下的电致发光656

文献目录662

参考书662

论文664